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更新時間:2025-11-12
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封面展示了具有多環(huán)形腔結(jié)構(gòu)的大孔徑垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)。通過將注入電流的區(qū)域分割成多個區(qū)域,可實現(xiàn)載流子分布的均勻化,進而有效抑制空間燒孔效應。該器件的近場分布均勻且明亮,遠場呈高斯分布,滿足了光通信、3D 傳感、激光雷達等領(lǐng)域?qū)Ω吖β矢吖馐|(zhì)量半導體激光源的需求,進一步拓展了 VCSEL 在智能設(shè)備領(lǐng)域中的應用范圍。此外,多環(huán)形腔結(jié)構(gòu)的設(shè)計無需引入微透鏡、表面光柵等外部結(jié)構(gòu),簡化了制備過程,為實現(xiàn)高光束質(zhì)量高功率的 VCSEL 提供了新的技術(shù)路徑。
一 研究背景
垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)是一種重要的半導體激光器,在光通信、光學傳感、激光打印等領(lǐng)域具有廣泛的應用前景,在消費市場的應用也日益廣泛,如3D傳感、虹膜識別、激光雷達、距離傳感等。隨著應用場景的拓展,人們對 VCSEL 的輸出功率和光束質(zhì)量也提出了更高的要求。
根據(jù)VCSEL的結(jié)構(gòu)特點,要提高VCSEL單管器件的輸出功率必然需要增大其出光孔徑。然而,由于空間燒孔效應與載流子聚集效應的存在,有源區(qū)內(nèi)的載流子僅存在于孔徑邊緣位置,導致激光功率密度分布不均勻,進而形成環(huán)狀激射光斑。這種現(xiàn)象嚴重影響了大孔徑器件的光束質(zhì)量。
目前,常采用外部反饋控制技術(shù)對高功率 VCSEL 光場進行調(diào)控,如微透鏡、表面光柵等,但這些方法在制備時常需要復雜的工藝和精密的控制,在一定程度上增加了制備和集成的復雜性。因此,如何在提高器件功率的同時,獲得光束質(zhì)量更好的光場是當前科研人員亟待解決的技術(shù)難題。
二 創(chuàng)新工作
長春理工大學郝永芹研究員團隊設(shè)計了一種具有多環(huán)形腔結(jié)構(gòu)的垂直腔面發(fā)射激光器,將注入電流區(qū)域分離成多個區(qū)域,以改善載流子的分布特性,從而優(yōu)化了大孔徑VCSEL的光場分布。
對不同出光區(qū)占比的多環(huán)形腔VCSEL的光場分布進行仿真(圖1),可以看出通過調(diào)整環(huán)形腔的尺寸和出光區(qū)域占比可以有效改善光場分布,且C結(jié)構(gòu)出光區(qū)域占比為67%,此時光場分布均勻,發(fā)光區(qū)域空間利用率較好,有利于獲得大功率輸出。

圖1 不同出光區(qū)占比的多環(huán)形腔VCSEL的光場分布。(A) 50%;(B) 75%;(C)67%
在同一外延片上同時制備了出光孔外部直徑相同的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)和新型結(jié)構(gòu)VCSEL,對其光場均勻性及輸出特性等進行比較分析,如圖2所示。優(yōu)化后的環(huán)形腔結(jié)構(gòu)的各個發(fā)光區(qū)都發(fā)光,且光場分布較均勻,大大改善了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)因載流子聚集效應和空間燒孔效應導致的光場分布極差的現(xiàn)象。C結(jié)構(gòu)不僅光場均勻性較好,發(fā)光區(qū)域利用率很高,更重要的是其光場,這與理論仿真結(jié)果一致。

圖2 不同出光區(qū)占比的多環(huán)形腔 VCSEL 的近場測試結(jié)果(注入電流為 0.6 A)。(A)50%;(B)75%;(C)67%;(D)100%
此外,采用CCD成像技術(shù)對C結(jié)構(gòu)VCSEL的遠場及束腰等光束參數(shù)進行了測量,如圖3所示。遠場的光場中心強度較強,呈現(xiàn)高斯分布,并利用激光光束傳播的高斯方程擬合求得了光束質(zhì)量因子的值分別為1.226、1.126。這表明新型結(jié)構(gòu)對器件輸出特性的提升具有重大意義,進而可推動其在通信、激光雷達和醫(yī)療成像等領(lǐng)域的應用。

圖3 (a)新型結(jié)構(gòu)VCSEL的遠場分布圖;(b)光束半徑與光束傳播距離關(guān)系曲線圖
三 結(jié)論與展望
未來,團隊將致力于進一步優(yōu)化高功率垂直腔面發(fā)射激光器的光束質(zhì)量。深入研究VCSEL激光器功率、溫度及光場的內(nèi)在關(guān)系,分析其輸出特性,以尋求更高效率的調(diào)控方法,確保激光器具備高質(zhì)量、高功率的輸出特性,從而促進高功率VCSEL激光器在3D傳感、光通信等領(lǐng)域的廣泛應用。
參考文獻: 中國光學期刊網(wǎng)

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