硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm

APD 是具有通過施加反向電壓產生的內部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內。 

 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設計。

硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm

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