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3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe PV系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的非制冷紅外光電探測器，具有優秀的性能和穩定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的佳性能。波長分割可根據需求進行優化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。

美國EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測器：材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ＧＨｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC,SMF28e

400-1100nm 硅Si光電探測器 帶放大 固定增益（DC-5MHz） 硅(Si) 硅基光電探測器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測器，用于檢測光信號。光信號從光電sensor感應面輸入，輸出通過BNC以電壓形式輸出。本產品能測量800nm到1700nm波長范圍的光信號。具體性能參數數據參考附錄表格。LD-PD光電探測器外殼帶有英制1/4“-20螺紋的安裝孔，可以方便的安裝固定。

350～1100nm放大型可調增益硅光電探測器 我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調增益 ，定量光電轉換；動態范圍寬 ，適用于各種光電開發場景 ，應用廣泛；索雷博THORLABS同款 ，無縫兼容；性能優秀 ，高性價比 ，quan方位技術支持； 提供非標定制服務。

800~1700nm放大型可調增益銦鎵砷光電探測器 我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調增益 ，定量光電轉換；動態范圍寬 ，適用于各種光電開發場景 ，應用廣泛；索雷博THORLABS同款 ，無縫兼容；性能優秀 ，高性價比 ，quan方位技術支持； 提供非標定制服務。