一.背景介紹

進入21世紀后，光子集成技術(shù)（PIC）逐漸成為備受關(guān)注的課題之一。原因無外乎兩方面：其一，信息技術(shù)的應(yīng)用達到了新的爆炸點，諸如大數(shù)據(jù)、人工智能、高速網(wǎng)絡(luò)、虛擬現(xiàn)實、量子信息等等都對具有低能耗、超高算力、可高速重構(gòu)的光子器件提出了迫切需求；其二，光子集成技術(shù)自身也在不斷突破，片上器件的性能和成本不斷降低，達到了驅(qū)動新產(chǎn)業(yè)生態(tài)的門檻。在這一背景下，薄膜鈮酸鋰逐漸成為一種重要的光子集成材料。

鈮酸鋰（LiNbO3）由于其優(yōu)異的電光和非線性光學(xué)特性、相對較高的折射率和較寬的透明窗口，自20世紀60年代以來一直被廣泛應(yīng)用于光子學(xué)領(lǐng)域。近年來，隨著通過離子切片制備的商業(yè)化薄膜鈮酸鋰晶圓的出現(xiàn)，以及加工制備技術(shù)的快速發(fā)展，基于薄膜鈮酸鋰平臺[1]開發(fā)出了一系列光學(xué)器件，包括超低損耗可調(diào)光波導(dǎo)延時線、超高速光調(diào)制器、高效率量子光源，以及高功率片上放大器與片上激光器等。這些器件以其體積小、質(zhì)量輕、功耗低、性能好的綜合優(yōu)勢，在光通信、光量子信息處理、光傳感和光學(xué)計算等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。它們可以用于實現(xiàn)高速、高容量的光通信系統(tǒng)，提供更穩(wěn)定和可靠的光量子信息處理，以及實現(xiàn)高精度的光傳感和光學(xué)計算。

二.關(guān)鍵技術(shù)進展

（1）大尺寸光刻技術(shù)超低損耗波導(dǎo)加工工藝

多年來，隨著對高密度集成的需求不斷增加，制備高質(zhì)量的鈮酸鋰薄膜以及在干法蝕刻過程中形成高質(zhì)量的光子結(jié)構(gòu)成為了一項巨大的挑戰(zhàn)。在大規(guī)模的光子集成芯片器件中，實現(xiàn)超低損耗的波導(dǎo)對于獲得令人滿意的性能至關(guān)重要。

2014年，哈佛大學(xué)提出了電子束曝光結(jié)合離子刻蝕技術(shù)[2]，該技術(shù)與成熟的互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）兼容，因此更易獲得推廣應(yīng)用。如圖1（a）所示，該制備技術(shù)路線的核心包括光刻膠曝光（光刻）和離子干法刻蝕兩個主要步驟。通過該技術(shù)所制備的薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)損耗可低至0.027 dB/cm[3]，因而被廣泛用于薄膜鈮酸鋰原型器件制造中。

2018年，中國科學(xué)院上海光機所與華東師范大學(xué)提出了飛秒激光直寫輔助化學(xué)機械拋光（Photolithography Assisted Chemo-Mechanical Etching，PLACE）技術(shù)[4]，目的是在薄膜鈮酸鋰上實現(xiàn)超低損耗光子器件和集成系統(tǒng)的晶圓級光刻制造。如圖1（b）所示，PLACE技術(shù)利用飛秒激光直寫來制備鉻掩模，然后通過化學(xué)機械拋光來蝕刻鈮酸鋰。利用這項技術(shù)制備的波導(dǎo)損耗同樣可以低至0.027 dB/cm[5]。PLACE技術(shù)的獨特優(yōu)勢在于突破了單次連續(xù)曝光區(qū)域的尺寸限制，并可獲得極低的波導(dǎo)傳輸損耗，這兩項優(yōu)勢對于實現(xiàn)大規(guī)模鈮酸鋰光子芯片并推動其應(yīng)用具有重要意義。

圖1 （a）利用電子束曝光結(jié)合離子束刻蝕的方法制備薄膜鈮酸鋰光子結(jié)構(gòu)的工藝流程示意圖；（b）飛秒激光直寫輔助化學(xué)機械拋光（PLACE）制備鈮酸鋰光子芯片的工藝流程圖

（2）多功能可重構(gòu)薄膜鈮酸鋰光子芯片

在光量子信息處理、量子增強傳感器、光子神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等新興應(yīng)用中，由級聯(lián)馬赫-曾德爾干涉儀組成的可編程線性光子線路變得越發(fā)重要。這些新興應(yīng)用對超大規(guī)模光子集成和以具備極低損耗、超高開關(guān)速度的光調(diào)制器為代表的高性能片上組件提出了嚴格的要求。薄膜鈮酸鋰作為一種重要的光子集成材料，滿足了可編程光子線路提出的所有嚴格的器件要求。

近期，華東師范大學(xué)、中國科學(xué)院上海光機所在薄膜鈮酸鋰襯底上實現(xiàn)了4×4可編程線性光子運算器[6]。該器件在損耗、功耗和運算速度方面顯示出巨大優(yōu)勢。圖2（a）展示了可編程線性光子運算器的照片，其中任意SU（4）變換由6個可重構(gòu)的馬赫-曾德爾干涉儀單元實現(xiàn)。每個馬赫-曾德爾干涉儀單元的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2（b）所示，其插損僅為0.15 dB。該器件在1 MHz調(diào)制率下執(zhí)行運算時，片上總功耗僅為15 µW。如圖2（c）中的直方圖所示，利用該器件執(zhí)行了200次隨機4×4酉矩陣變換計算，得到的矩陣保真度為0.902±0.021。圖2（d）直接對比了其中一個矩陣運算的理論結(jié)果和實驗測量結(jié)果，大誤差小于10%。這項工作為實現(xiàn)大規(guī)模、低功耗和高性能的光子芯片在前沿經(jīng)典和量子應(yīng)用中的應(yīng)用邁出了重要的一步。

圖2 基于薄膜鈮酸鋰平臺制備的4×4可編程線性光子芯片[6]。（a）任意SU(4)變換矩陣；（b）MZI單元的內(nèi)部結(jié)構(gòu)；（c）200個隨機矩陣的測量保真度的直方圖；（d）其中一個矩陣的理論與實驗結(jié)果的對比

（3）薄膜鈮酸鋰大規(guī)模光子集成

對于薄膜鈮酸鋰大規(guī)模光子集成，我們考慮一個適用于多種應(yīng)用場景的代表性器件，并考察其制備可能性與性能極限。在這個假想器件中，我們通過將盡可能多的鈮酸鋰馬赫-曾德爾干涉儀排列成一個網(wǎng)格陣列，放置在單個薄膜鈮酸鋰晶圓上構(gòu)建光子集成器件[7]。

從技術(shù)上講，由于4英寸的薄膜鈮酸鋰晶圓已經(jīng)商業(yè)化可用，我們考慮在4英寸晶圓允許的60 mm×60 mm的方形區(qū)域內(nèi)構(gòu)建馬赫-曾德爾干涉儀陣列。如圖3（a）所示，在保障鈮酸鋰波導(dǎo)可承受的調(diào)制電壓的前提下，薄膜鈮酸鋰上單個馬赫-曾德爾干涉儀的尺寸可以小至0.2 mm×2.5 mm。通過PLACE技術(shù)，圖3（b）所示，一個由7200個馬赫-曾德爾干涉儀組成的光子器件將很容易實現(xiàn)。在這樣一個大規(guī)模的光子集成芯片器件中，總傳輸損耗預(yù)計低可到0.5 dB。此外，如圖3（c）所示，利用PLACE技術(shù)，我們能夠以連續(xù)光刻方式單次加工預(yù)先拼接好的9片鈮酸鋰晶圓，實現(xiàn)超大規(guī)模鈮酸鋰光子集成器件的整體圖案化。利用該連續(xù)光刻加工技術(shù)，可以自動確保不同晶圓中波導(dǎo)陣列間的高精度對準。終，該整體拼接的鈮酸鋰晶圓上的馬赫-曾德爾干涉儀的總數(shù)可以達到64800個。

這一集成規(guī)模一旦實現(xiàn)，將會根本性地改變光子集成領(lǐng)域的狀況，推動人類智能社會進入一個新的技術(shù)時代。這也是2017年，哈佛大學(xué)鄭重宣告“Now entering, lithium niobate valley"(人類正在進入鈮酸鋰谷的時代)的信念來源。

圖3（a）基于薄膜鈮酸鋰的馬赫-曾德爾干涉儀的原理圖；（b）4英寸晶圓上制備的7200個馬赫-曾德爾干涉儀陣列組成的光子集成芯片示意圖；（c）利用PLACE技術(shù)在9片4英寸晶圓中單次制備的64800個馬赫-曾德爾干涉儀陣列組成的光子集成芯片示意圖

三.總結(jié)與展望

集成光子技術(shù)長期受到片上光波導(dǎo)高傳輸損耗和高調(diào)制功耗的制約，無法持續(xù)擴大集成規(guī)模。近10年來，薄膜鈮酸鋰光子學(xué)的快速發(fā)展為改變這一現(xiàn)狀提供了可能。薄膜鈮酸鋰結(jié)合先進的微納光子制備技術(shù)，已經(jīng)實現(xiàn)了光子集成領(lǐng)域的一系列突破，使得光子器件在調(diào)制帶寬、調(diào)制功耗、傳輸損耗、有源無源集成、超大集成規(guī)模等方面都有顯著提升。值得一提的是，目前這些性能大都還未達到鈮酸鋰光子器件的物理極限，因此，薄膜鈮酸鋰集成光子技術(shù)仍具有廣闊的發(fā)展空間。同時，很多薄膜鈮酸鋰光子器件都已接近甚至具備了產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的條件，這將為下一代光信息技術(shù)發(fā)展提供強大驅(qū)動力。

參考文獻： 中國光學(xué)期刊網(wǎng)

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